HTB025N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTB025N03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HTB025N03 datasheet

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HTB025N03

HTB025N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic Level 2.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.3 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 137 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification

Otros transistores... HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, K3569, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03