HTB025N03 Todos los transistores

 

HTB025N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTB025N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de HTB025N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTB025N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  cn hunteck
 htb025n03.pdf pdf_icon

HTB025N03

HTB025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness137 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

Otros transistores... HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL , HGW130N12S , HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , SPP20N60C3 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.