Справочник MOSFET. HTB025N03

 

HTB025N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTB025N03
   Маркировка: TB025N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HTB025N03

 

 

HTB025N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  cn hunteck
 htb025n03.pdf

HTB025N03 HTB025N03

HTB025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness137 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STP10NB20FP | IXTH76P10T | 5N65F

 

 
Back to Top