Справочник MOSFET. HTB025N03

 

HTB025N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTB025N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTB025N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  cn hunteck
 htb025n03.pdf pdf_icon

HTB025N03

HTB025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness137 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTX550N055T2 | IRFH8318 | 2SK3013 | UF830L-TQ2-T | IRF7425PBF | PH1875L | SIHL510S

 

 
Back to Top

 


 
.