HTB025N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTB025N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HTB025N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTB025N03 даташит

 ..1. Size:755K  cn hunteck
 htb025n03.pdf pdf_icon

HTB025N03

HTB025N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic Level 2.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.3 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 137 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification

Другие IGBT... HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, K3569, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03