HTD025N03 Todos los transistores

 

HTD025N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD025N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD025N03 Datasheet (PDF)

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HTD025N03

HTD025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness134 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification i

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History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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