HTD025N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTD025N03
Маркировка: TD025N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
HTD025N03 Datasheet (PDF)
htd025n03.pdf
HTD025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness134 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification i
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HSS2300A
History: HSS2300A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918