HTD025N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD025N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD025N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD025N03 даташит

 ..1. Size:815K  cn hunteck
 htd025n03.pdf pdf_icon

HTD025N03

HTD025N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic Level 2.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.3 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 134 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification i

Другие IGBT... HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, IRFP260, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03