Справочник MOSFET. HTD025N03

 

HTD025N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD025N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD025N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD025N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:815K  cn hunteck
 htd025n03.pdf pdf_icon

HTD025N03

HTD025N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness134 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification i

Другие MOSFET... HGW105N15M , HGW105N15SL , HGW130N12S , HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , 8205A , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 .

History: CPMF-1200-S080B | IPD068P03L3 | SGSP575 | CDM22010-650 | CHM6861ZGP | FIR12N80FG | GM8205D

 

 
Back to Top

 


 
.