HTD058N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTD058N03R
Código: TD058N03R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 46 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 152 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTD058N03R
HTD058N03R Datasheet (PDF)
htd058n03r.pdf
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HTD058N03R P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature5.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching7.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability76.1 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness46 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Har
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