HTD058N03R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD058N03R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD058N03R datasheet

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HTD058N03R

HTD058N03R P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V VDS Feature 5.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching 7.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 76.1 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 46 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Har

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