HTD058N03R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD058N03R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD058N03R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD058N03R даташит

 ..1. Size:789K  cn hunteck
 htd058n03r.pdf pdf_icon

HTD058N03R

HTD058N03R P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V VDS Feature 5.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching 7.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 76.1 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 46 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Har

Другие IGBT... HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, SKD502T, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10