HTD058N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTD058N03R
Маркировка: TD058N03R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 46 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 152 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HTD058N03R
HTD058N03R Datasheet (PDF)
..1. Size:789K cn hunteck
htd058n03r.pdf
htd058n03r.pdf
HTD058N03R P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature5.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching7.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability76.1 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness46 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Har
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
