Справочник MOSFET. HTD058N03R

 

HTD058N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD058N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD058N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD058N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:789K  cn hunteck
 htd058n03r.pdf pdf_icon

HTD058N03R

HTD058N03R P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature5.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching7.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability76.1 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness46 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Har

Другие MOSFET... HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , IRF9540N , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 .

History: HF10N60 | IPB80N04S4-04 | 30N20 | QM2403V | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.