HTD060N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD060N03  📄📄 

Código: TD060N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de HTD060N03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTD060N03 datasheet

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 htd060n03.pdf pdf_icon

HTD060N03

HTD060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 80 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

Otros transistores... HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, K4145, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03