HTD060N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD060N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD060N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD060N03 даташит

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 htd060n03.pdf pdf_icon

HTD060N03

HTD060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 80 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

Другие IGBT... HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, K4145, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03