Справочник MOSFET. HTD060N03

 

HTD060N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD060N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD060N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD060N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 htd060n03.pdf pdf_icon

HTD060N03

HTD060N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness80 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , IRFB3607 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 .

History: AUIRFB4410Z | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | SSM3K59CTB | CS10N65FA9HD | S15H12RN | IRFP4410ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.