HTD080P03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD080P03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 634 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de HTD080P03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTD080P03 datasheet

 ..1. Size:494K  cn hunteck
 htd080p03.pdf pdf_icon

HTD080P03

HTD080P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 9 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -80 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 Drai

Otros transistores... HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, AON7410, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T