Справочник MOSFET. HTD080P03

 

HTD080P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD080P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 634 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD080P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD080P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  cn hunteck
 htd080p03.pdf pdf_icon

HTD080P03

HTD080P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-80 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Drai

Другие MOSFET... HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , RFP50N06 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T .

History: AP40N03GS

 

 
Back to Top

 


 
.