HTD080P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD080P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 634 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD080P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD080P03 даташит

 ..1. Size:494K  cn hunteck
 htd080p03.pdf pdf_icon

HTD080P03

HTD080P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 9 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -80 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 Drai

Другие IGBT... HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, AON7410, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T