Справочник MOSFET. HTD080P03

 

HTD080P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTD080P03
   Маркировка: TD080P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 634 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для HTD080P03

 

 

HTD080P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  cn hunteck
 htd080p03.pdf

HTD080P03 HTD080P03

HTD080P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-80 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Drai

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top