HTD090N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTD090N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HTD090N03 MOSFET
HTD090N03 Datasheet (PDF)
htd090n03.pdf

HTD090N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part
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History: SI7382DP | SPD02N80C3 | STF9NM60N | RZR020P01 | BSP225 | STF9NK90Z | VBE2338
History: SI7382DP | SPD02N80C3 | STF9NM60N | RZR020P01 | BSP225 | STF9NK90Z | VBE2338



Liste
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