HTD090N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD090N03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD090N03 datasheet

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HTD090N03

HTD090N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

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