Справочник MOSFET. HTD090N03

 

HTD090N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD090N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD090N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 htd090n03.pdf pdf_icon

HTD090N03

HTD090N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BSC014N03MSG | IRFU3710Z | IPD50R280CE | LND06R079 | 2SK1698 | NDT6N70 | CHM4311JGP

 

 
Back to Top

 


 
.