HTD090N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTD090N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HTD090N03
HTD090N03 Datasheet (PDF)
htd090n03.pdf

HTD090N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part
Другие MOSFET... HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , 4N60 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T .
History: SUP18N15-95 | 2SK1465 | 2SK1818-MR | ZXMN6A09K | LSGE04R035 | HFD1N60S | SIHFBC40A
History: SUP18N15-95 | 2SK1465 | 2SK1818-MR | ZXMN6A09K | LSGE04R035 | HFD1N60S | SIHFBC40A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor