HTD140N03 Todos los transistores

 

HTD140N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD140N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD140N03 Datasheet (PDF)

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HTD140N03

HTD140N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness25 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part N

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History: FML12N50ES | IPG20N06S2L-50 | IPG20N04S4-08 | STP16NK65Z | STP10NB50 | IPP100N08S2-07 | IPD65R660CFD

 

 
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