Справочник MOSFET. HTD140N03

 

HTD140N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD140N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD140N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD140N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  cn hunteck
 htd140n03.pdf pdf_icon

HTD140N03

HTD140N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness25 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part N

Другие MOSFET... HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , 4435 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 .

History: STL8NH3LL | BUK7Y25-80E | CJP05N60 | SI4401BDY | AOT14N50FD | SI2341 | HTM200P03

 

 
Back to Top

 


 
.