HTD150P06 Todos los transistores

 

HTD150P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD150P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD150P06 Datasheet (PDF)

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HTD150P06

HTD150P06 P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature12RDS(on),typ VGS=-10V m High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-40 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Drain2Gate31Part Number Pac

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History: SI7463DP | STQ1HN60K3-AP | NCE60NF110F | HTD1K5N10 | SIE800DF | 9N90G-TC3-T | IPP60R950C6

 

 
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