HTD150P06 Todos los transistores

 

HTD150P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD150P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de HTD150P06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTD150P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn hunteck
 htd150p06.pdf pdf_icon

HTD150P06

HTD150P06 P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature12RDS(on),typ VGS=-10V m High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-40 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Drain2Gate31Part Number Pac

Otros transistores... HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , IRF530 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 .

History: HM80N05K | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | 2SK2207 | CS5M5210 | AP02N40H-HF

 

 
Back to Top

 


 
.