Справочник MOSFET. HTD150P06

 

HTD150P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD150P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD150P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD150P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn hunteck
 htd150p06.pdf pdf_icon

HTD150P06

HTD150P06 P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature12RDS(on),typ VGS=-10V m High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-40 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Drain2Gate31Part Number Pac

Другие MOSFET... HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , IRF530 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 .

History: IXTH36P15P | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | HSU6113 | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.