HTD150P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD150P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD150P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD150P06 даташит

 ..1. Size:572K  cn hunteck
 htd150p06.pdf pdf_icon

HTD150P06

HTD150P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET -60 V VDS Feature 12 RDS(on),typ VGS=-10V m High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -40 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 Drain 2 Gate 3 1 Part Number Pac

Другие IGBT... HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, IRF1010E, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04