HTD160P04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD160P04  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD160P04 datasheet

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HTD160P04

HTD160P04 P-1 40V P-Ch Power MOSFET Feature -40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 20 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -43 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free -25 A ID (Package Limited) Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circui

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