HTD160P04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD160P04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD160P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD160P04 даташит

 ..1. Size:535K  cn hunteck
 htd160p04.pdf pdf_icon

HTD160P04

HTD160P04 P-1 40V P-Ch Power MOSFET Feature -40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 20 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -43 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free -25 A ID (Package Limited) Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circui

Другие IGBT... HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, IRFB3607, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10