Справочник MOSFET. HTD160P04

 

HTD160P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD160P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD160P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD160P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  cn hunteck
 htd160p04.pdf pdf_icon

HTD160P04

HTD160P04 P-140V P-Ch Power MOSFETFeature-40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness20RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-43 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free-25 AID (Package Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circui

Другие MOSFET... HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , AON7506 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.