Справочник MOSFET. HTD160P04

 

HTD160P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD160P04
   Маркировка: TD160P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD160P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  cn hunteck
 htd160p04.pdf pdf_icon

HTD160P04

HTD160P04 P-140V P-Ch Power MOSFETFeature-40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness20RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-43 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free-25 AID (Package Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circui

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.