HTD1K5N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD1K5N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD1K5N10 datasheet

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HTD1K5N10

HTD1K5N10 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 130 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

Otros transistores... HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, AON6380, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06