HTD1K5N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD1K5N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD1K5N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD1K5N10 даташит

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 htd1k5n10.pdf pdf_icon

HTD1K5N10

HTD1K5N10 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 130 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

Другие IGBT... HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, AON6380, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06