Справочник MOSFET. HTD1K5N10

 

HTD1K5N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD1K5N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD1K5N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD1K5N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 htd1k5n10.pdf pdf_icon

HTD1K5N10

HTD1K5N10 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level130RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , IRLZ44N , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 .

History: SL2301S | APT901R3BN | FQP19N20L | KQB2N30 | DMN21D2UFB | IXTT28N50Q | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.