Справочник MOSFET. HTD1K5N10

 

HTD1K5N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD1K5N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD1K5N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 htd1k5n10.pdf pdf_icon

HTD1K5N10

HTD1K5N10 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level130RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TPC8084 | SQ2303ES | MDF13N65B | IRF7807VD1 | IRF3707SPBF | SVF2N65N | LSGG03R020

 

 
Back to Top

 


 
.