Справочник MOSFET. HTD1K5N10

 

HTD1K5N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTD1K5N10
   Маркировка: TD1K5N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.8 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 52 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для HTD1K5N10

 

 

HTD1K5N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 htd1k5n10.pdf

HTD1K5N10 HTD1K5N10

HTD1K5N10 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level130RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top