HTD200P03 Todos los transistores

 

HTD200P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD200P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD200P03 Datasheet (PDF)

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HTD200P03

HTD200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness25RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-35 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitTO-252 DC/DC in Telecoms and Indu

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History: AP9980GJ | HTD160P04 | IXFV22N50P | AP9980GH | PMN40ENA | FDU3N50NZTU | HTD1K5N10

 

 
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