Справочник MOSFET. HTD200P03

 

HTD200P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD200P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD200P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD200P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  cn hunteck
 htd200p03.pdf pdf_icon

HTD200P03

HTD200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness25RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-35 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitTO-252 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие MOSFET... HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , AO4407 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 .

History: 2SK1388 | FCP099N60E | CS4N60D | BUK9575-100A | QM2608N8 | TPCP8403 | IXTT75N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.