HTD200P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD200P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD200P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD200P03 даташит

 ..1. Size:559K  cn hunteck
 htd200p03.pdf pdf_icon

HTD200P03

HTD200P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 25 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -35 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit TO-252 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие IGBT... HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, IRF530, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04