HTD2K4P15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTD2K4P15T
   Código: TD2K4P15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTD2K4P15T

HTD2K4P15T Datasheet (PDF)

..1. Size:1612K cn hunteck
htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf

HTD2K4P15T , P-1HTI2K4P15T135V P-Ch Power MOSFETFeature-135 VVDS High Speed Power Smooth Switching200RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability-12 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

9.1. Size:577K cn hunteck
htd2k1p10.pdf

HTD2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level182RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness190RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252

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Liste

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