HTD2K4P15T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD2K4P15T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 135 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD2K4P15T datasheet

 ..1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTD2K4P15T

HTD2K4P15T , P-1 HTI2K4P15T 135V P-Ch Power MOSFET Feature -135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 200 RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability -12 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

 9.1. Size:577K  cn hunteck
 htd2k1p10.pdf pdf_icon

HTD2K4P15T

HTD2K1P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 182 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 190 RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252

Otros transistores... HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, NCEP15T14, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06