HTD2K4P15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTD2K4P15T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HTD2K4P15T
HTD2K4P15T Datasheet (PDF)
htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf

HTD2K4P15T , P-1HTI2K4P15T135V P-Ch Power MOSFETFeature-135 VVDS High Speed Power Smooth Switching200RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability-12 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power
htd2k1p10.pdf

HTD2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level182RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness190RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252
Другие MOSFET... HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , IRFP450 , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 .
History: 2SJ604-S | 2SK2063 | SWB046R08E9T
History: 2SJ604-S | 2SK2063 | SWB046R08E9T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor