HTD2K4P15T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD2K4P15T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 135 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD2K4P15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD2K4P15T даташит

 ..1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTD2K4P15T

HTD2K4P15T , P-1 HTI2K4P15T 135V P-Ch Power MOSFET Feature -135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 200 RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability -12 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

 9.1. Size:577K  cn hunteck
 htd2k1p10.pdf pdf_icon

HTD2K4P15T

HTD2K1P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 182 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 190 RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252

Другие IGBT... HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, NCEP15T14, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06