HTI2K4P15T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTI2K4P15T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 135 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO-251

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HTI2K4P15T datasheet

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 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTI2K4P15T

HTD2K4P15T , P-1 HTI2K4P15T 135V P-Ch Power MOSFET Feature -135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 200 RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability -12 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

Otros transistores... HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, AON7506, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T