HTI2K4P15T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTI2K4P15T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 135 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для HTI2K4P15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTI2K4P15T даташит

 ..1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTI2K4P15T

HTD2K4P15T , P-1 HTI2K4P15T 135V P-Ch Power MOSFET Feature -135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 200 RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability -12 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

Другие IGBT... HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, AON7506, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T