Справочник MOSFET. HTI2K4P15T

 

HTI2K4P15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTI2K4P15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HTI2K4P15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTI2K4P15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTI2K4P15T

HTD2K4P15T , P-1HTI2K4P15T135V P-Ch Power MOSFETFeature-135 VVDS High Speed Power Smooth Switching200RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability-12 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

Другие MOSFET... HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , IRFP250 , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.