HTD350C04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTD350C04
Código: TD350C04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 21 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.2 V
Carga de la puerta (Qg): 13.1 nC
Tiempo de subida (tr): 7.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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HTD350C04 Datasheet (PDF)
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htd350c04.pdf
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HTD350C04P-140V Complementary Power MOSFETN-CH P-CHFeature40 -40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35 44RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness12 -9 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorTO-252-4LD2D1D1/D2G1 G2G2 S2 Part Number Package Marking G1
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
