HTD350C04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD350C04  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD350C04 datasheet

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HTD350C04

HTD350C04 P-1 40V Complementary Power MOSFET N-CH P-CH Feature 40 -40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 35 44 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 -9 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor TO-252-4L D2 D1 D1/D2 G1 G2 G2 S2 Part Number Package Marking G1

Otros transistores... HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, IRFP450, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02