HTD350C04 Todos los transistores

 

HTD350C04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD350C04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD350C04 Datasheet (PDF)

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 htd350c04.pdf pdf_icon

HTD350C04

HTD350C04P-140V Complementary Power MOSFETN-CH P-CHFeature40 -40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35 44RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness12 -9 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorTO-252-4LD2D1D1/D2G1 G2G2 S2 Part Number Package Marking G1

Otros transistores... HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , IRF1407 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 .

History: HSU0139 | IPA60R520CP | HGP088N15S | FTK830F | 2SK3364 | RND030N20

 

 
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