HTD350C04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD350C04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD350C04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD350C04 даташит

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 htd350c04.pdf pdf_icon

HTD350C04

HTD350C04 P-1 40V Complementary Power MOSFET N-CH P-CH Feature 40 -40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 35 44 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 -9 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor TO-252-4L D2 D1 D1/D2 G1 G2 G2 S2 Part Number Package Marking G1

Другие IGBT... HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, IRFP450, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02