HTD350C04 - аналоги и даташиты транзистора

 

HTD350C04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTD350C04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD350C04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD350C04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 htd350c04.pdf pdf_icon

HTD350C04

HTD350C04P-140V Complementary Power MOSFETN-CH P-CHFeature40 -40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35 44RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness12 -9 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorTO-252-4LD2D1D1/D2G1 G2G2 S2 Part Number Package Marking G1

Другие MOSFET... HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , IRF1407 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 .

History: AP18T10GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.