HTD480N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTD480N06P
   Código: TD480N06P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 17.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 16.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 51 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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HTD480N06P Datasheet (PDF)

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htd480n06p.pdf

HTD480N06P P-160V N-Ch Power MOSFET60 VFeature VDS30 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability16 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swi

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Liste

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