HTD480N06P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD480N06P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD480N06P datasheet

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HTD480N06P

HTD480N06P P-1 60V N-Ch Power MOSFET 60 V Feature VDS 30 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW 33 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 16 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swi

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