HTD480N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

HTD480N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTD480N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD480N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD480N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  cn hunteck
 htd480n06p.pdf pdf_icon

HTD480N06P

HTD480N06P P-160V N-Ch Power MOSFET60 VFeature VDS30 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability16 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swi

Другие MOSFET... HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , 10N65 , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 .

History: OSG60R099HEZF | P092ABD

 

 
Back to Top

 


 
.