HTD480N06P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTD480N06P
Маркировка: TD480N06P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.5 nC
Время нарастания (tr): 16.2 ns
Выходная емкость (Cd): 51 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HTD480N06P
HTD480N06P Datasheet (PDF)
..1. Size:1166K cn hunteck
htd480n06p.pdf
htd480n06p.pdf
HTD480N06P P-160V N-Ch Power MOSFET60 VFeature VDS30 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability16 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
