HTD480N06P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD480N06P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD480N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD480N06P даташит

 ..1. Size:1166K  cn hunteck
 htd480n06p.pdf pdf_icon

HTD480N06P

HTD480N06P P-1 60V N-Ch Power MOSFET 60 V Feature VDS 30 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW 33 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 16 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swi

Другие IGBT... HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, 4N60, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03