HTD600N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD600N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de HTD600N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTD600N06 datasheet

 ..1. Size:885K  cn hunteck
 htd600n06.pdf pdf_icon

HTD600N06

HTD600N06 P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 3 1 Src Part N

Otros transistores... HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, IRFP250, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02