Справочник MOSFET. HTD600N06

 

HTD600N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD600N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD600N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD600N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:885K  cn hunteck
 htd600n06.pdf pdf_icon

HTD600N06

HTD600N06 P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level50RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate231SrcPart N

Другие MOSFET... HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , STF13NM60N , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 .

 

 
Back to Top

 


 
.