HTD600N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD600N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD600N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD600N06 даташит

 ..1. Size:885K  cn hunteck
 htd600n06.pdf pdf_icon

HTD600N06

HTD600N06 P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 3 1 Src Part N

Другие IGBT... HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, IRFP250, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02