HTD950P06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD950P06

Código: TD950P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.2 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD950P06 datasheet

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HTD950P06

HTD950P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET Feature -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 82 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 120 RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 D

Otros transistores... HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, 2SK3568, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02