HTD950P06 Todos los transistores

 

HTD950P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD950P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD950P06 Datasheet (PDF)

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HTD950P06

HTD950P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level82RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness120RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252D

Otros transistores... HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , AO3401 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 .

History: SI7617DN | BL3N100-D | SSM9928O | AOT11S60 | IXFA12N65X2 | IXTH200N085T | PHM18NQ15T

 

 
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