HTD950P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD950P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD950P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD950P06 даташит

 ..1. Size:583K  cn hunteck
 htd950p06.pdf pdf_icon

HTD950P06

HTD950P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET Feature -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 82 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 120 RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 D

Другие IGBT... HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, 2SK3568, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02