Справочник MOSFET. HTD950P06

 

HTD950P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD950P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD950P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  cn hunteck
 htd950p06.pdf pdf_icon

HTD950P06

HTD950P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level82RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness120RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | HAF1002 | TK3A60DA | BSS214NW | IRFIBC20G | AOD4132

 

 
Back to Top

 


 
.