Справочник MOSFET. HTD950P06

 

HTD950P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD950P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD950P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD950P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  cn hunteck
 htd950p06.pdf pdf_icon

HTD950P06

HTD950P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level82RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness120RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252D

Другие MOSFET... HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , 5N65 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 .

History: AP2764AI | TSJ10N10AT | H7P1002DS | TSM2N60SCW | 2SK2705 | HGD290N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.