HTJ200N02 Todos los transistores

 

HTJ200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTJ200N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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HTJ200N02 Datasheet (PDF)

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 htj200n02.pdf pdf_icon

HTJ200N02

HTJ200N02P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level18RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pac

Otros transistores... HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , IRFZ46N , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 .

History: PH3330L | SSM3K12T | IXFH42N50P2 | UTD410 | AON3814 | AOL1426 | QH8KA1

 

 
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