HTJ200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ200N02
Código: 10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 166 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HTJ200N02 Datasheet (PDF)
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htj200n02.pdf
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HTJ200N02P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level18RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pac
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