Справочник MOSFET. HTJ200N02

 

HTJ200N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTJ200N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HTJ200N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ200N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 htj200n02.pdf pdf_icon

HTJ200N02

HTJ200N02P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level18RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pac

Другие MOSFET... HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , IRFZ46N , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.