HTJ200N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ200N02  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HTJ200N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ200N02 даташит

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 htj200n02.pdf pdf_icon

HTJ200N02

HTJ200N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 18 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 6 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pac

Другие IGBT... HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, SI2302, HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03