HTJ300N02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ300N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HTJ300N02 datasheet

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HTJ300N02

HTJ300N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 26 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pack

Otros transistores... HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, 18N50, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06