HTJ300N02 Todos los transistores

 

HTJ300N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTJ300N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

HTJ300N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:930K  cn hunteck
 htj300n02.pdf pdf_icon

HTJ300N02

HTJ300N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level26RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pack

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90

 

 
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