HTJ300N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTJ300N02
Маркировка: 11
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.2 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 47 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HTJ300N02 Datasheet (PDF)
..1. Size:930K cn hunteck
htj300n02.pdf
htj300n02.pdf
HTJ300N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level26RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pack
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
