HTJ350N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ350N03

Código: 1D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.1 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HTJ350N03 datasheet

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HTJ350N03

HTJ350N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 30 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pack

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