HTJ350N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ350N03
Código: 1D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 7.1 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HTJ350N03 Datasheet (PDF)
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HTJ350N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level30RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pack
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