Справочник MOSFET. HTJ350N03

 

HTJ350N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTJ350N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HTJ350N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ350N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:878K  cn hunteck
 htj350n03.pdf pdf_icon

HTJ350N03

HTJ350N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level30RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pack

Другие MOSFET... HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 , 2N60 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 .

History: STD60NF06T4 | DH029N08D | 2SK2487 | MMFT60R380PTH | LRK7002WT1G | VBM1307 | 2SJ598-Z-E1

 

 
Back to Top

 


 
.