HTJ350N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ350N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HTJ350N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ350N03 даташит

 ..1. Size:878K  cn hunteck
 htj350n03.pdf pdf_icon

HTJ350N03

HTJ350N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 30 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pack

Другие IGBT... HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02, 20N50, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02