HTJ450N02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ450N02

Código: 1Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HTJ450N02 datasheet

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HTJ450N02

HTJ450N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 36 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 43 RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 58 RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free 3.6 A ID (Sillicon Limited) Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D

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