HTJ450N02 Todos los transistores

 

HTJ450N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTJ450N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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HTJ450N02 Datasheet (PDF)

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HTJ450N02

HTJ450N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level36RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness43RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested58RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free3.6 AID (Sillicon Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D

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History: JCS7N60S | P0620ED | IPB117N20NFD | IPP60R099CPA | STF10N80K5 | FTK6014A | SI1040X

 

 
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