HTJ450N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ450N02
Código: 1Y
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 4.6 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 56 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HTJ450N02 Datasheet (PDF)
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htj450n02.pdf
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HTJ450N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level36RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness43RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested58RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free3.6 AID (Sillicon Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
