HTJ450N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTJ450N02
Маркировка: 1Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HTJ450N02 Datasheet (PDF)
htj450n02.pdf
HTJ450N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level36RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness43RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested58RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free3.6 AID (Sillicon Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F