HTJ450N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ450N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HTJ450N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ450N02 даташит

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 htj450n02.pdf pdf_icon

HTJ450N02

HTJ450N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 36 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 43 RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 58 RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free 3.6 A ID (Sillicon Limited) Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D

Другие IGBT... HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, IRFZ24N, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03