Справочник MOSFET. HTJ450N02

 

HTJ450N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTJ450N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HTJ450N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ450N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 htj450n02.pdf pdf_icon

HTJ450N02

HTJ450N02 P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level36RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness43RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested58RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free3.6 AID (Sillicon Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D

Другие MOSFET... HTJ1K5P06 , HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , AON6380 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 .

History: IRFSL7730PBF

 

 
Back to Top

 


 
.