HTJ500N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTJ500N03
   Código: 17
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTJ500N03

HTJ500N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:915K cn hunteck
htj500n03.pdf

HTJ500N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level43RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialS

8.1. Size:478K cn hunteck
htj500p03.pdf

HTJ500P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature42RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level66RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-4.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa

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