HTJ500N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ500N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HTJ500N03 datasheet

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HTJ500N03

HTJ500N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 43 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 60 RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 3.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial S

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HTJ500N03

HTJ500P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET -30 V VDS Feature 42 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 66 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -4.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Packa

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