Справочник MOSFET. HTJ500N03

 

HTJ500N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTJ500N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HTJ500N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ500N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  cn hunteck
 htj500n03.pdf pdf_icon

HTJ500N03

HTJ500N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level43RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialS

 8.1. Size:478K  cn hunteck
 htj500p03.pdf pdf_icon

HTJ500N03

HTJ500P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature42RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level66RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-4.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa

Другие MOSFET... HTJ200N02 , HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , IRF830 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P .

History: HY1904D | SVG108R5NAMQ | UF640G-T2Q-T | BUK9610-100B | DMN3032LFDB | RJK0456DPB | 7N65KL-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.