HTJ650P02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ650P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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HTJ650P02 datasheet

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HTJ650P02

HTJ650P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET -20 V VDS Feature 53 RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level 75 RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 150 RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free -4 A ID (Sillicon Limited) Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain

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