HTJ650P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ650P02
Código: 25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.096 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTJ650P02
HTJ650P02 Datasheet (PDF)
..1. Size:550K cn hunteck
htj650p02.pdf
htj650p02.pdf
HTJ650P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature53RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level75RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness150RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23Drain
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
