Справочник MOSFET. HTJ650P02

 

HTJ650P02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTJ650P02
   Маркировка: 25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.04 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
   Время нарастания (tr): 32 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.096 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для HTJ650P02

 

 

HTJ650P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  cn hunteck
 htj650p02.pdf

HTJ650P02 HTJ650P02

HTJ650P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature53RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level75RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness150RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23Drain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top