HTJ650P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ650P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HTJ650P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ650P02 даташит

 ..1. Size:550K  cn hunteck
 htj650p02.pdf pdf_icon

HTJ650P02

HTJ650P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET -20 V VDS Feature 53 RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level 75 RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 150 RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free -4 A ID (Sillicon Limited) Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain

Другие IGBT... HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, 75N75, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02