Справочник MOSFET. HTJ650P02

 

HTJ650P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTJ650P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HTJ650P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ650P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  cn hunteck
 htj650p02.pdf pdf_icon

HTJ650P02

HTJ650P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature53RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level75RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness150RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23Drain

Другие MOSFET... HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , IRF520 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 .

History: PSMN5R0-100PS | IRFS621 | MMQ60R115PTH | VBE1638 | IRF540ZSPBF | AFN08N50T220T

 

 
Back to Top

 


 
.