HTJ850P03 Todos los transistores

 

HTJ850P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTJ850P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HTJ850P03 Datasheet (PDF)

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HTJ850P03

HTJ850P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature75RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level125RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pack

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History: IRF7704PBF | SFF16N60NC

 

 
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