HTJ850P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ850P03
Código: 24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 5.1 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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HTJ850P03 Datasheet (PDF)
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htj850p03.pdf
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HTJ850P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature75RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level125RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pack
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