Справочник MOSFET. HTJ850P03

 

HTJ850P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTJ850P03
   Маркировка: 24
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.04 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.1 nC
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для HTJ850P03

 

 

HTJ850P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  cn hunteck
 htj850p03.pdf

HTJ850P03 HTJ850P03

HTJ850P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature75RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level125RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pack

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top