HTJ850P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ850P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HTJ850P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ850P03 даташит

 ..1. Size:552K  cn hunteck
 htj850p03.pdf pdf_icon

HTJ850P03

HTJ850P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET -30 V VDS Feature 75 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 125 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -3.6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Pack

Другие IGBT... HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02, AO3400A, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02