HTL140N02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTL140N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.08 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0148 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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HTL140N02 datasheet

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HTL140N02

HTL140N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET 20 V VDS Feature 13 RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level 8 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN2*2 Gate Src Part Number Package Marking HTL140N02 DFN2*2 1L Ab

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