HTL140N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTL140N02
   Código: 1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0148 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

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HTL140N02 Datasheet (PDF)

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htl140n02.pdf

HTL140N02 P-120V N-Ch Power MOSFET20 VVDSFeature13RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN2*2GateSrcPart Number Package MarkingHTL140N02 DFN2*2 1LAb

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Liste

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