HTL140N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTL140N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.08 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0148 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2
Búsqueda de reemplazo de HTL140N02 MOSFET
HTL140N02 Datasheet (PDF)
htl140n02.pdf

HTL140N02 P-120V N-Ch Power MOSFET20 VVDSFeature13RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN2*2GateSrcPart Number Package MarkingHTL140N02 DFN2*2 1LAb
Otros transistores... HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , IRFZ46N , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P .
History: QH8MA3 | PMDPB28UN | IRF7665S2TRPBF | P0804BVG | CSD17578Q3A
History: QH8MA3 | PMDPB28UN | IRF7665S2TRPBF | P0804BVG | CSD17578Q3A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834