Справочник MOSFET. HTL140N02

 

HTL140N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTL140N02
   Маркировка: 1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.08 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14.2 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 203 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0148 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2

 Аналог (замена) для HTL140N02

 

 

HTL140N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  cn hunteck
 htl140n02.pdf

HTL140N02 HTL140N02

HTL140N02 P-120V N-Ch Power MOSFET20 VVDSFeature13RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN2*2GateSrcPart Number Package MarkingHTL140N02 DFN2*2 1LAb

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top