HTL140N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTL140N02
Маркировка: 1L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0148 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
HTL140N02 Datasheet (PDF)
htl140n02.pdf

HTL140N02 P-120V N-Ch Power MOSFET20 VVDSFeature13RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN2*2GateSrcPart Number Package MarkingHTL140N02 DFN2*2 1LAb
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HSBA0139 | 2SK2895-01 | KDW2504P | WFW24N50W | INJ0003AU1 | AP4P016I | SI4943CDY
History: HSBA0139 | 2SK2895-01 | KDW2504P | WFW24N50W | INJ0003AU1 | AP4P016I | SI4943CDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834