HTL140N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTL140N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0148 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для HTL140N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTL140N02 даташит

 ..1. Size:857K  cn hunteck
 htl140n02.pdf pdf_icon

HTL140N02

HTL140N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET 20 V VDS Feature 13 RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level 8 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN2*2 Gate Src Part Number Package Marking HTL140N02 DFN2*2 1L Ab

Другие IGBT... HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, IRFB31N20D, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P