Справочник MOSFET. HTL140N02

 

HTL140N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTL140N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0148 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для HTL140N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTL140N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  cn hunteck
 htl140n02.pdf pdf_icon

HTL140N02

HTL140N02 P-120V N-Ch Power MOSFET20 VVDSFeature13RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN2*2GateSrcPart Number Package MarkingHTL140N02 DFN2*2 1LAb

Другие MOSFET... HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , IRF730 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P .

History: OSG60R069HZF | LSD65R180GT | SM6107PSU | BUK437-500B | PHP79NQ08LT | LSH60R2K5HT | KO3415

 

 
Back to Top

 


 
.